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专利摘要显现，本发明公开了一种电磁屏蔽封装结构的制作办法，包含以下过程：S100，在来料结构反面贴上防溢膜；S200，在结构上涂上导电胶，从晶圆上汲取单颗芯片，固定到结构指定方位并经过导电胶固定；S300，在芯片的信号传输口中导出金属线与结构引脚完成电气衔接；S400，运用环氧树脂注塑成型；S500，将注塑成型的结构的各单元间的塑封体划槽；S600，在结构的塑封体上镀上一层磷镍；S700，在结构的塑封体上镀上一层铜；S800，在结构的塑封体上镀上一层镍；S900，在结构上镀上一层锡；S1000，将结构各单元完全划开，成为单颗产品。本发明能有很大成效防止磁场对芯片的搅扰，可在高磁场下正常作业。
